pegasus3390
Well-Known Member
Samsung gần đây đã tung ra điện thoại màn hình “không viền” đầu tiên trên thế giới cũng như vi xử lý 10nm, và giờ đây họ lại tiếp tục tiến lên với việc thiết kế bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên từ tính (Magnetoresistant Random Access Memory - MRAM) giải pháp thay thế giá rẻ, tốc độ cao so với chip NAND flash được sử dụng phổ biến trên điện thoại và các thiết bị di động.
Chúng ta có thể sẽ thấy công nghệ này được trang bị trên mẫu flagship tiếp theo của hãng như chiếc Galaxy Note 8 với bộ nhớ sẽ được tung ra vào ngày 24 tháng 4 còn thiết bị sẽ có thể xuất hiện vào cuối năm nay. Tính năng này có thể sẽ khiến cho chiếc Note 8 của hãng nổi bật cũng như màn hình không viền của S8.
Công ty này nói rằng bộ nhớ MRAM, là bộ nhớ bất biến và sử dụng công nghệ gọi là chuyển đổi xoay vòng (spin torque transfer) để đọc và ghi dữ liệu với khả năng hoạt động với tốc độ gấp 1000 lần so với bộ nhớ NAND Flash. Nó cũng tiết kiệm pin hơn khi sử dụng ít năng lượng hơn bộ nhớ truyền thống khi kích hoạt và không tốn năng lượng khi không hoạt động, không giống như bộ nhớ NAND flash.
Samsung hiện đang đối mặt với một số vấn đề liên quan đến việc sản xuất MRAM và hiện tại công ty này chỉ có thể sản xuất được các bộ nhớ MRAM dung lượng thấp. Tuy nhiên công ty này dự kiến sẽ nhanh chóng vượt qua vấn đề này.
Bộ nhớ MRAM ban đầu sẽ được tích hợp lên các thiết bị Internet of Things như router thông minh hay loa thông minh và sau đó sẽ được đưa lên các mẫu điện thoại mới.
Điều này sẽ đánh dấu sự phát triển mới về công nghệ smartphone khi mà nó rẻ hơn bộ nhớ NAND cũ, và tất nhiên là còn nhanh hơn rất nhiều, bền bỉ cho các tác vụ cường độ cao và cũng tương thích tốt hơn trên các con chip 10nm FinFET của hãng hơn những vi xử lý hiện tại. Nó cũng tiềm năng trong việc hỗ trợ các ứng dụng thực tế tăng cường và thực tế ảo hơn hiện tại
