Samsung trình diễn và cung cấp thêm chi tiết về bộ nhớ SSD mới sử dụng Z-NAND

Thảo luận trong 'Thiết bị Lưu trữ và Truyền tải' bắt đầu bởi pegasus3390, 19/3/17.

  1. pegasus3390

    pegasus3390 Chuyên viên tin tức

    Tham gia ngày:
    13/10/09
    Bài viết:
    1,811
    Đã được cảm ơn:
    1,873
    Điểm thành tích:
    113
    Giới tính:
    Nam
    Tiền:
    3,549 CR
    z-ssd-780x585.jpg

    Trong sự kiện Cloud Expo Europe diễn ra tại London, Samsung đã giới thiệu bộ nhớ Z-SSD sử dụng kết nối PCI Express 3.0 mới. Thiết bị này bạn đầu được giới thiệu tại sự kiện Flash Memory Summit vào tháng 8/2016, với thiết bị bí mật có tên Z-NAND sử dụng công nghệ V-NAND của hãng. Samsung không nói rõ về hiệu năng của những bộ nhớ Z-SSD hồi tháng 8, tuy nhiên hãng đã nói nhiều hơn trong đợt trình diễn lần này.

    Theo như những báo cáo gần đây thì Samsung ban đầu sẽ cung cấp cho một số khác hàng các bộ nhớ Z-SSD dung lượng 800GB. Tin đồn trước đây nói rằng Samsung hiện đang phát triển các phiên bản 1TB, 2TB và 4TB nhưng vẫn không có gì cho thấy rằng Samsung có dự định đưa chúng ra trong tương lai gần.

    Nói chi tiết hơn, mẫu ổ cứng 800GB sử dụng kích thước dạng vừa sử dụng kết nối PCI Express 3.0 với ít nhất là 4 làn (PCIe 3.0 x4). Samsung nói thêm rằng độ trễ của nó sẽ thấp hơn khoảng 70% so với ổ cứng NVM Express (NVMe). Ngoài ra các thông số khác bao gồm tốc độ đọc/ghi tuần tự là 3.2Gbps trong khi đó tốc độ đọc/ghi ngẫu nhiên lên đến 750.000 IOPS/160.000 IOPS. Điều quan trọng là ở những ổ cứng Z-SSD sử dụng cùng kiến trúc với V-NAND nhưng lại có thiết kế mạch cũng như bộ điều khiển đặc biệt cho phép tố đa hóa hiệu năng với độ trễ thấp hơn 4 lần cũng như tốc độ đọc tuần tự nhanh hơn 1.6 lần so với Samsung PM963 NVMe.

    Công nghệ V-NAND thế hệ thứ 4 của Samsung được xếp chồng lên nhau thành nhiều lớp như nhà cao tầng hơn là dạng lưới như trước đây, điều này giúp tăng mật độ lưu trữ bởi dung lượng tăng dần theo mỗi tầng thay vì theo chiều ngang.

    Samsung nói rằng công nghệ V-NAND hiện nay đang có 64 lớp bộ nhớ, tăng mật độ của mỗi con chip lên 512Gb (64GB). Hiện nay, một con chip 3D Xpoint được sản xuất bởi Intel/Micron chứa 2 lớp 64Gb với tổng cộng 128Gb (16GB).


    Tuy nhiên chúng ta vẫn sẽ chưa thấy được các mẫu ổ cứng dùng Z-NAND trở nên phổ biến trong thời gian tới. Những khách hàng cần các hệ thống hiệu năng cực cao cũng như khả năng tính toán thời gian thực cực nhanh mới là những người đầu tiên có nhu cầu về bộ nhớ này.
     
    kokekutkit and changcombaolac like this.

Chia sẻ trang này