pegasus3390
Well-Known Member
Ba nhà sản xuất chip nhớ lớn nhất hiện nay là Samsung, SK Hynix và Toshiba, hiện đang cạnh tranh mạnh mẽ với nhau trong việc nâng khả năng lưu trữ của những con chip 3D NAND. 3D NAND chứa lượng dữ liệu dày đặc hơn trong các cell dữ liệu và được đặt chồng lên nhau nhằm tăng mức dung lượng trong con chip. Và theo như xác nhận mới đây của SK Hynix, nhà sản xuất lớn thứ hai trên thị trường, họ đã hoàn thành việc phát triển chip 3D NAND 72 lớp và sẽ giới thiệu vào đầu năm 2017 và sẽ đưa vào sản xuất đại trà vào nửa cuối năm sau. Những con chip mới sẽ được sản xuất tại nhà máy của SK Hynix tại Icheon, Hàn Quốc.
SK Hynix đã bắt đầu sản xuất hàng loạt những con chip nhớ 48 lớp 3D NAND từ tháng 11 năm nay và có phần thụt lùi so với hai đối thủ là Samsung và Toshiba. Samsung hồi tháng 8 đã sẵn sàng sản xuất các chip NAND 3D 64 lớp trong quý 4. Toshiba cũng tương tự khi công bố việc sản xuất chip NAND 64 lớp cùng thời điểm, và chính điều này khiến SK Hynix phải phát triển chip 3D NAND 72 lớp với hy vọng vượt lên trước đối thủ. Tuy nhiên đến thời điểm đó thì có lẽ cả Samsung lẫn Toshiba đều đã tiếp tục nghiên cứu công nghệ mới.
Thị trường bộ nhớ flash và NAND hiện đang mở rộng mạnh mẽ. Chỉ cần hơn 3 năm để các hãng phát triển từ công nghệ 24 lớp (năm 2013) chuyển lên 72 lớp 3D NAND sẽ được ra mắt vào năm sau. Tất nhiên nhu cầu tăng mạnh của bộ nhớ flash là bởi hầu như tất cả các thiết bị điện tử tiêu dùng đều chứa bộ nhớ này bên trong. Cả người dùng lẫn các công ty sản xuất đề đòi hỏi bộ nhớ trong nhiều hơn khi mà các thiết bị ngày càng trở nên tinh vi hơn mặc dù hầu hết các trường hợp để người dùng có thể kết nối internet thường xuyên hơn. Với các mẫu điện thoại, các nhà sản xuất liên tục giảm độ dày của các thiết bị và đồng nghĩa với việc giảm không gian cho các con chip nhớ. Công nghệ 3D NAND chip chính là giải pháp để có thể giảm thiểu kích thước lẫn năng lượng tiêu thụ cũng như cung cấp cho người dùng dung lượng lưu trữ lớn hơn.
